Справочник MOSFET. BLM80P10-P

 

BLM80P10-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM80P10-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM80P10-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM80P10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  belling
 blm80p10-d blm80p10-p.pdf pdf_icon

BLM80P10-P

BLM80P10 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DSI -20 A DR .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

Другие MOSFET... BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , IRFP260N , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T , BLP021N10-T , BLP022N10-BA , BLP023N10-B , BLP023N10-BA .

 

 
Back to Top

 


 
.