BLP012N08-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLP012N08-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL8
- Selección de transistores por parámetros
BLP012N08-T Datasheet (PDF)
blp012n08-t.pdf

BLP012N08 MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP012N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2SK3880 | BUK7Y153-100E | FW202 | SE8830T | VN2110 | SQ7414EN | IMW120R140M1H
History: 2SK3880 | BUK7Y153-100E | FW202 | SE8830T | VN2110 | SQ7414EN | IMW120R140M1H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor