BLP012N08-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP012N08-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: TOLL8

Аналог (замена) для BLP012N08-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP012N08-T даташит

 ..1. Size:986K  belling
 blp012n08-t.pdf pdf_icon

BLP012N08-T

BLP012N08 MOSFET Step-Down Converter , 1 Description BLP012N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80

Другие IGBT... BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, BLM4407, BLM80P10-D, BLM80P10-P, BLM8205B, BLM8205E-G, BLM8205E-J, AO3400, BLP021N10-T, BLP022N10-BA, BLP023N10-B, BLP023N10-BA, BLP023N10-P, BLP023N10-T, BLP024N10-BA, BLP024N10-T