FDB16AN08A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB16AN08A0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 135 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 58 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB16AN08A0
FDB16AN08A0 Datasheet (PDF)
fdb16an08a0.pdf
November 2013FDB16AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET 75 V, 58 A, 16 mApplicationsFeatures RDS(on) = 13 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 58 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit QG(tot) = 28 nC (Typ.) @ VGS = 10 V Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies Low Miller Charge Low Qrr Body Diode
fdp16an08a0 fdb16an08a0.pdf
July 2002FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET75V, 58A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab
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