FDB16AN08A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB16AN08A0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Búsqueda de reemplazo de FDB16AN08A0 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FDB16AN08A0 datasheet
fdb16an08a0.pdf
November 2013 FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75 V, 58 A, 16 m Applications Features RDS(on) = 13 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 58 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit QG(tot) = 28 nC (Typ.) @ VGS = 10 V Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies Low Miller Charge Low Qrr Body Diode
fdp16an08a0 fdb16an08a0.pdf
July 2002 FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab
Otros transistores... FDB3652 , FQP11N40C , FDP3632 , FQP12P20 , FQP13N06L , FQP13N10 , FDD3682 , FQP13N10L , AO3401 , FQP13N50 , FQP14N30 , FQP16N25 , FQP17N40 , FDD6688 , FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 .
History: F3V90HVX2
History: F3V90HVX2
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet