Справочник MOSFET. FDB16AN08A0

 

FDB16AN08A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB16AN08A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB16AN08A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:887K  fairchild semi
 fdb16an08a0.pdf pdf_icon

FDB16AN08A0

November 2013FDB16AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET 75 V, 58 A, 16 mApplicationsFeatures RDS(on) = 13 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 58 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit QG(tot) = 28 nC (Typ.) @ VGS = 10 V Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies Low Miller Charge Low Qrr Body Diode

 ..2. Size:267K  fairchild semi
 fdp16an08a0 fdb16an08a0.pdf pdf_icon

FDB16AN08A0

July 2002FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET75V, 58A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab

Другие MOSFET... FDB3652 , FQP11N40C , FDP3632 , FQP12P20 , FQP13N06L , FQP13N10 , FDD3682 , FQP13N10L , TK10A60D , FQP13N50 , FQP14N30 , FQP16N25 , FQP17N40 , FDD6688 , FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 .

History: AO4622 | SSR1N50 | NTF2955T1G | AO4630 | IRF3707SPBF | 2N6961 | IRFN9130SMD

 

 
Back to Top

 


 
.