FDB16AN08A0 - описание и поиск аналогов

 

FDB16AN08A0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB16AN08A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB16AN08A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB16AN08A0 даташит

 ..1. Size:887K  fairchild semi
 fdb16an08a0.pdf pdf_icon

FDB16AN08A0

November 2013 FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75 V, 58 A, 16 m Applications Features RDS(on) = 13 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 58 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit QG(tot) = 28 nC (Typ.) @ VGS = 10 V Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies Low Miller Charge Low Qrr Body Diode

 ..2. Size:267K  fairchild semi
 fdp16an08a0 fdb16an08a0.pdf pdf_icon

FDB16AN08A0

July 2002 FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab

Другие MOSFET... FDB3652 , FQP11N40C , FDP3632 , FQP12P20 , FQP13N06L , FQP13N10 , FDD3682 , FQP13N10L , AO3401 , FQP13N50 , FQP14N30 , FQP16N25 , FQP17N40 , FDD6688 , FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.