FQP14N30 Todos los transistores

 

FQP14N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP14N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FQP14N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  fairchild semi
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FQP14N30

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been

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History: MTB17A03Q8 | CEF04N65 | INK0001AC1

 

 
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