FQP14N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP14N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Encapsulados: TO220
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FQP14N30 datasheet
fqp14n30.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been
Otros transistores... FDP3632 , FQP12P20 , FQP13N06L , FQP13N10 , FDD3682 , FQP13N10L , FDB16AN08A0 , FQP13N50 , IRFP260 , FQP16N25 , FQP17N40 , FDD6688 , FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 , FQPF13N50C , FQP19N20C .
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