Справочник MOSFET. FQP14N30

 

FQP14N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP14N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP14N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP14N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  fairchild semi
 fqp14n30.pdf pdf_icon

FQP14N30

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSS6N90A

 

 
Back to Top

 


 
.