BLP10N20J-B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLP10N20J-B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 137 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de BLP10N20J-B MOSFET
BLP10N20J-B Datasheet (PDF)
blp10n20j-b blp10n20j-p.pdf
BLP10N20J MOSFET Step-Down Converter 1Description , BLP10N20J, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS a n d h i g h cur r e n t s w i t c h i n g a p p l i c a t i o n s . KEY CHARACTERISTICS
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History: IXFK80N50P | 2SK2682
History: IXFK80N50P | 2SK2682
Liste
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