Справочник MOSFET. BLP10N20J-B

 

BLP10N20J-B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLP10N20J-B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP10N20J-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  belling
 blp10n20j-b blp10n20j-p.pdf pdf_icon

BLP10N20J-B

BLP10N20J MOSFET Step-Down Converter 1Description , BLP10N20J, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS a n d h i g h cur r e n t s w i t c h i n g a p p l i c a t i o n s . KEY CHARACTERISTICS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: APT94N60L2C3G | SSA50R240S | IXFN80N50Q2 | 2N6797LCC4 | SSP4N80A | 2SK2759-01R | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.