BLP10N20J-B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP10N20J-B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BLP10N20J-B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP10N20J-B даташит

 ..1. Size:1049K  belling
 blp10n20j-b blp10n20j-p.pdf pdf_icon

BLP10N20J-B

BLP10N20J MOSFET Step-Down Converter 1 Description , BLP10N20J, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS a n d h i g h cur r e n t s w i t c h i n g a p p l i c a t i o n s . KEY CHARACTERISTICS

Другие IGBT... BLP06N08G-B, BLP06N08G-P, BLP075N10G-B, BLP075N10G-P, BLP08N10G-B, BLP08N10G-D, BLP08N10G-P, BLP08N10G-Q, IRFZ44N, BLP10N20J-P, BLP12N10G-B, BLP12N10G-D, BLP12N10G-E, BLP12N10GL-D, BLP12N10GL-Q, BLP12N10G-P, BLP12N10G-Q