BLP10N20J-P Todos los transistores

 

BLP10N20J-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLP10N20J-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 137 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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BLP10N20J-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  belling
 blp10n20j-b blp10n20j-p.pdf pdf_icon

BLP10N20J-P

BLP10N20J MOSFET Step-Down Converter 1Description , BLP10N20J, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS a n d h i g h cur r e n t s w i t c h i n g a p p l i c a t i o n s . KEY CHARACTERISTICS

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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