Справочник MOSFET. BLP10N20J-P

 

BLP10N20J-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLP10N20J-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLP10N20J-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP10N20J-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  belling
 blp10n20j-b blp10n20j-p.pdf pdf_icon

BLP10N20J-P

BLP10N20J MOSFET Step-Down Converter 1Description , BLP10N20J, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS a n d h i g h cur r e n t s w i t c h i n g a p p l i c a t i o n s . KEY CHARACTERISTICS

Другие MOSFET... BLP06N08G-P , BLP075N10G-B , BLP075N10G-P , BLP08N10G-B , BLP08N10G-D , BLP08N10G-P , BLP08N10G-Q , BLP10N20J-B , IRF3205 , BLP12N10G-B , BLP12N10G-D , BLP12N10G-E , BLP12N10GL-D , BLP12N10GL-Q , BLP12N10G-P , BLP12N10G-Q , BLP12N10G-U .

History: IRF3704ZLPBF | RQK0301FGDQS | HGD046NE6A | AFP1013 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.