BLP20N10L-Q Todos los transistores

 

BLP20N10L-Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLP20N10L-Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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BLP20N10L-Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1334K  belling
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BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSSI 29.6 A DR 17 m DS(on

 4.1. Size:929K  belling
 blp20n10l-d.pdf pdf_icon

BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSSI 30.5 A DR 16 m DS(on

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