Справочник MOSFET. BLP20N10L-Q

 

BLP20N10L-Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLP20N10L-Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP20N10L-Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1334K  belling
 blp20n10l-q.pdf pdf_icon

BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSSI 29.6 A DR 17 m DS(on

 4.1. Size:929K  belling
 blp20n10l-d.pdf pdf_icon

BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSSI 30.5 A DR 16 m DS(on

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMN30N80M3 | JCS5N50CT | 5N65KG-TM3-T | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.