BLP20N10L-Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP20N10L-Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для BLP20N10L-Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP20N10L-Q даташит

 ..1. Size:1334K  belling
 blp20n10l-q.pdf pdf_icon

BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1 Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 29.6 A D R 17 m DS(on

 4.1. Size:929K  belling
 blp20n10l-d.pdf pdf_icon

BLP20N10L-Q

BLP20N10L MOSFET , 1 Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 30.5 A D R 16 m DS(on

Другие IGBT... BLP12N10GL-D, BLP12N10GL-Q, BLP12N10G-P, BLP12N10G-Q, BLP12N10G-U, BLP14N08L-D, BLP14N08L-Q, BLP20N10L-D, IRFB4110, BLQM15N06L-D, BLS60R036-F, BLS60R036-W, BLS60R150-A, BLS60R150-F, BLS60R150F-A, BLS60R150F-B, BLS60R150F-I