BLQM15N06L-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLQM15N06L-D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de BLQM15N06L-D MOSFET
BLQM15N06L-D Datasheet (PDF)
blqm15n06l-d.pdf

Green Product BLQM15N06L 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLQM15N06L uses advanced trench technology to V = 60V,I = DS D 50A R
Otros transistores... BLP12N10GL-Q , BLP12N10G-P , BLP12N10G-Q , BLP12N10G-U , BLP14N08L-D , BLP14N08L-Q , BLP20N10L-D , BLP20N10L-Q , IRF630 , BLS60R036-F , BLS60R036-W , BLS60R150-A , BLS60R150-F , BLS60R150F-A , BLS60R150F-B , BLS60R150F-I , BLS60R150F-P .
History: KI2311DS | SI8467DB | 2SK3617 | LSC80R980GT | 2SJ293 | TSM4953DCS | SM3331PSQG
History: KI2311DS | SI8467DB | 2SK3617 | LSC80R980GT | 2SJ293 | TSM4953DCS | SM3331PSQG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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