BLQM15N06L-D - аналоги и даташиты транзистора

 

BLQM15N06L-D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLQM15N06L-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BLQM15N06L-D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLQM15N06L-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:774K  belling
 blqm15n06l-d.pdf pdf_icon

BLQM15N06L-D

Green Product BLQM15N06L 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLQM15N06L uses advanced trench technology to V = 60V,I = DS D 50A R

Другие MOSFET... BLP12N10GL-Q , BLP12N10G-P , BLP12N10G-Q , BLP12N10G-U , BLP14N08L-D , BLP14N08L-Q , BLP20N10L-D , BLP20N10L-Q , IRFP260N , BLS60R036-F , BLS60R036-W , BLS60R150-A , BLS60R150-F , BLS60R150F-A , BLS60R150F-B , BLS60R150F-I , BLS60R150F-P .

History: IXFT80N10 | FQD2P40TM

 

 
Back to Top

 


 
.