BLQM15N06L-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLQM15N06L-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLQM15N06L-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLQM15N06L-D даташит

 ..1. Size:774K  belling
 blqm15n06l-d.pdf pdf_icon

BLQM15N06L-D

Green Product BLQM15N06L 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLQM15N06L uses advanced trench technology to V = 60V,I = DS D 50A R

Другие IGBT... BLP12N10GL-Q, BLP12N10G-P, BLP12N10G-Q, BLP12N10G-U, BLP14N08L-D, BLP14N08L-Q, BLP20N10L-D, BLP20N10L-Q, IRF640N, BLS60R036-F, BLS60R036-W, BLS60R150-A, BLS60R150-F, BLS60R150F-A, BLS60R150F-B, BLS60R150F-I, BLS60R150F-P