MPGC20R170 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGC20R170

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 523 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO-263

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MPGC20R170 datasheet

 ..1. Size:3838K  cn marching-power
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MPGC20R170

MPGC20R170 FEATURES D BV DSS=200V, I D=80A RDS(on) @ 17m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested G TO-263 S RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Ma

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