MPGC20R170 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MPGC20R170
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 523 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для MPGC20R170
MPGC20R170 Datasheet (PDF)
mpgc20r170.pdf
MPGC20R170FEATURESDBVDSS=200V, ID=80ARDS(on) @ :17m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested GTO-263S RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Ma
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100