MPGJ04R017 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGJ04R017

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MPGJ04R017 datasheet

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MPGJ04R017

MPGJ04R017 DATASHEET 40V 2.0mohm N-channel SGT MOSFET Description - This N channel SGT MOSFET has been designed to low on-state resistance and maintain superior switching performance, especial for high efficiency power management applications. Features Applications Low RDS(ON) Battery Management System Motor Drivers RoHS compliant (Note 1) DC-DC Converter

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