MPGJ04R017 Todos los transistores

 

MPGJ04R017 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGJ04R017
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MPGJ04R017 Datasheet (PDF)

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MPGJ04R017

MPGJ04R017DATASHEET40V 2.0mohm N-channel SGT MOSFETDescription:-This N channel SGT MOSFET has been designed to low on-state resistance andmaintain superior switching performance, especial for high efficiency powermanagement applications.Features: Applications: Low RDS(ON) Battery Management System Motor Drivers RoHS compliant (Note 1) DC-DC Converter

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History: AP60AN750IN | QN3107M6N

 

 
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