MPGJ04R017. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGJ04R017

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MPGJ04R017

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ04R017 даташит

 ..1. Size:2097K  cn marching-power
 mpgj04r017.pdf pdf_icon

MPGJ04R017

MPGJ04R017 DATASHEET 40V 2.0mohm N-channel SGT MOSFET Description - This N channel SGT MOSFET has been designed to low on-state resistance and maintain superior switching performance, especial for high efficiency power management applications. Features Applications Low RDS(ON) Battery Management System Motor Drivers RoHS compliant (Note 1) DC-DC Converter

Другие IGBT... BLS70R600-D, BLS70R600-P, BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, 8N60, MPGJ10R7, MPGJ80R040, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160