MPGJ04R017 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: MPGJ04R017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам