Справочник MOSFET. MPGJ04R017

 

MPGJ04R017 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGJ04R017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MPGJ04R017

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ04R017 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2097K  cn marching-power
 mpgj04r017.pdf pdf_icon

MPGJ04R017

MPGJ04R017DATASHEET40V 2.0mohm N-channel SGT MOSFETDescription:-This N channel SGT MOSFET has been designed to low on-state resistance andmaintain superior switching performance, especial for high efficiency powermanagement applications.Features: Applications: Low RDS(ON) Battery Management System Motor Drivers RoHS compliant (Note 1) DC-DC Converter

Другие MOSFET... BLS70R600-D , BLS70R600-P , BLS70R600-U , BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , K2611 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 .

History: DH020N03F | SSW60R140SFD | AFP2323A | PI506BZ | 2SK2666 | HGN042N10A | 2SK2676

 

 
Back to Top

 


 
.