MPGJ10R7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGJ10R7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MPGJ10R7 datasheet

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MPGJ10R7

MPGJ 10R7 Features BV DSS=100V, I D =94A @ RDS(on) m (Max) GS=10V 6.5 V RDS(on) @ 9 m (Max) V GS=4.5V N-Channel 5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPGJ10R7 MPGJ10R7 DFN5*6 Maximum rati

Otros transistores... BLS70R600-P, BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, P60NF06, MPGJ80R040, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160