MPGJ10R7 Todos los transistores

 

MPGJ10R7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGJ10R7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MPGJ10R7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2797K  cn marching-power
 mpgj10r7.pdf pdf_icon

MPGJ10R7

MPGJ 10R7FeaturesBVDSS=100V, ID =94A @ RDS(on) m (Max)GS=10V :6.5 VRDS(on) @ :9 m (Max) VGS=4.5V N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ10R7MPGJ10R7 DFN5*6Maximum rati

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History: 2SK1875

 

 
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