Справочник MOSFET. MPGJ10R7

 

MPGJ10R7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGJ10R7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ10R7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2797K  cn marching-power
 mpgj10r7.pdf pdf_icon

MPGJ10R7

MPGJ 10R7FeaturesBVDSS=100V, ID =94A @ RDS(on) m (Max)GS=10V :6.5 VRDS(on) @ :9 m (Max) VGS=4.5V N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ10R7MPGJ10R7 DFN5*6Maximum rati

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBL1101N | SIHG47N60S | SSM03N70GP-H | 9N95 | SFF9230Z | AP9408GJ | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.