MPGJ10R7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGJ10R7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MPGJ10R7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ10R7 даташит

 ..1. Size:2797K  cn marching-power
 mpgj10r7.pdf pdf_icon

MPGJ10R7

MPGJ 10R7 Features BV DSS=100V, I D =94A @ RDS(on) m (Max) GS=10V 6.5 V RDS(on) @ 9 m (Max) V GS=4.5V N-Channel 5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPGJ10R7 MPGJ10R7 DFN5*6 Maximum rati

Другие IGBT... BLS70R600-P, BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, P60NF06, MPGJ80R040, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160