Справочник MOSFET. MPGJ10R7

 

MPGJ10R7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MPGJ10R7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MPGJ10R7

 

 

MPGJ10R7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2797K  cn marching-power
 mpgj10r7.pdf

MPGJ10R7 MPGJ10R7

MPGJ 10R7FeaturesBVDSS=100V, ID =94A @ RDS(on) m (Max)GS=10V :6.5 VRDS(on) @ :9 m (Max) VGS=4.5V N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ10R7MPGJ10R7 DFN5*6Maximum rati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top