Справочник MOSFET. MPGJ10R7

 

MPGJ10R7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGJ10R7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MPGJ10R7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ10R7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2797K  cn marching-power
 mpgj10r7.pdf pdf_icon

MPGJ10R7

MPGJ 10R7FeaturesBVDSS=100V, ID =94A @ RDS(on) m (Max)GS=10V :6.5 VRDS(on) @ :9 m (Max) VGS=4.5V N-Channel5V Logic Level Control Enhancement mode DFN5*6 Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ10R7MPGJ10R7 DFN5*6Maximum rati

Другие MOSFET... BLS70R600-P , BLS70R600-U , BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , AO3401 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 .

History: IPA65R380E6 | PHP18NQ10T | NTD4863N-1G | AUIRFP4310Z | TPV65R160C | MMN8818N | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.