MPGJ80R040 Todos los transistores

 

MPGJ80R040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGJ80R040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MPGJ80R040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7162K  cn marching-power
 mpgj80r040.pdf pdf_icon

MPGJ80R040

MPGJ 80R040FeaturesBVDSS= 80V, ID = 130A @ RDS(on) m (typ)GS=10V :2.6 V N-Channel Extremely low switching loss Excellent stability and uniformityDFN5*6 100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ80R040MPGJ80R040 DFN5*6Maximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specified Symbol

Otros transistores... BLS70R600-U , BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , IRF520 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 .

History: PSMN5R8-40YS | VBTA4250N | GC11N65K

 

 
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