MPGJ80R040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPGJ80R040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPGJ80R040

MPGJ80R040 Datasheet (PDF)

..1. Size:7162K cn marching-power
mpgj80r040.pdf

MPGJ 80R040FeaturesBVDSS= 80V, ID = 130A @ RDS(on) m (typ)GS=10V :2.6 V N-Channel Extremely low switching loss Excellent stability and uniformityDFN5*6 100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ80R040MPGJ80R040 DFN5*6Maximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specified Symbol

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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