MPGJ80R040 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGJ80R040

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MPGJ80R040 datasheet

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MPGJ80R040

MPGJ 80R040 Features BV DSS= 80V, I D = 130A @ RDS(on) m (typ) GS=10V 2.6 V N-Channel Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity DFN5*6 100% Avalanche test Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPGJ80R040 MPGJ80R040 DFN5*6 Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol

Otros transistores... BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, 75N75, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160, MPSH60M160