Справочник MOSFET. MPGJ80R040

 

MPGJ80R040 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MPGJ80R040
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 61.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MPGJ80R040

 

 

MPGJ80R040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7162K  cn marching-power
 mpgj80r040.pdf

MPGJ80R040 MPGJ80R040

MPGJ 80R040FeaturesBVDSS= 80V, ID = 130A @ RDS(on) m (typ)GS=10V :2.6 V N-Channel Extremely low switching loss Excellent stability and uniformityDFN5*6 100% Avalanche test Device Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPGJ80R040MPGJ80R040 DFN5*6Maximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specified Symbol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top