MPGJ80R040. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGJ80R040

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MPGJ80R040

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGJ80R040 даташит

 ..1. Size:7162K  cn marching-power
 mpgj80r040.pdf pdf_icon

MPGJ80R040

MPGJ 80R040 Features BV DSS= 80V, I D = 130A @ RDS(on) m (typ) GS=10V 2.6 V N-Channel Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity DFN5*6 100% Avalanche test Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPGJ80R040 MPGJ80R040 DFN5*6 Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol

Другие IGBT... BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, 75N75, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160, MPSH60M160