MPGP06R030H Todos los transistores

 

MPGP06R030H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGP06R030H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 168 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1702 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MPGP06R030H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7158K  cn marching-power
 mpgp06r030h.pdf pdf_icon

MPGP06R030H

MPGP06R030HFEATURESBVDSS=60V, ID=160ARDS(on) @ :3.0m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking

Otros transistores... BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , RU6888R , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 .

History: SWSI4N60DA | HGP080N08SL | H7N0603DS | IXFN80N48 | MPSD70M910B | BL80N20L-W | UF740L-TQ2-R

 

 
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