MPGP06R030H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGP06R030H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1702 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MPGP06R030H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGP06R030H даташит

 ..1. Size:7158K  cn marching-power
 mpgp06r030h.pdf pdf_icon

MPGP06R030H

MPGP06R030H FEATURES BV DSS=60V, I D=160A RDS(on) @ 3.0m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested TO-220 RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking

Другие IGBT... BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, MPGJ80R040, AO3400A, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160, MPSH60M160, MPSC60M160