Справочник MOSFET. MPGP06R030H

 

MPGP06R030H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGP06R030H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1702 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MPGP06R030H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGP06R030H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7158K  cn marching-power
 mpgp06r030h.pdf pdf_icon

MPGP06R030H

MPGP06R030HFEATURESBVDSS=60V, ID=160ARDS(on) @ :3.0m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking

Другие MOSFET... BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , RU6888R , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | ELM33413CA | CHM5813ESQ2GP | BSC017N04NSG

 

 
Back to Top

 


 
.