MPGP10R033 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPGP10R033
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1692 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MPGP10R033 MOSFET
MPGP10R033 Datasheet (PDF)
mpgp10r033.pdf

MPGP10R033FEATURESBVDSS=100V, ID =160ARDS(on) @ :3.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking
Otros transistores... AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , IRF730 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 , MPSW60M160 .
History: BL7N70A-P | IRF620PBF | STF12NM50ND | PJU5NA50 | RFP4N35 | IRF7842PBF
History: BL7N70A-P | IRF620PBF | STF12NM50ND | PJU5NA50 | RFP4N35 | IRF7842PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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