MPGP10R033 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGP10R033

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1692 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MPGP10R033 datasheet

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MPGP10R033

MPGP10R033 FEATURES BV DSS=100V, I D =160A RDS(on) @ 3.3m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested TO-220 RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking

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