MPGP10R033 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPGP10R033 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPGP10R033
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 142 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1692 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MPGP10R033

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGP10R033 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7976K  cn marching-power
 mpgp10r033.pdf pdf_icon

MPGP10R033

MPGP10R033FEATURESBVDSS=100V, ID =160ARDS(on) @ :3.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking

Другие MOSFET... AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , IRF730 , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 , MPSW60M160 .

History: QN3107M6N | AP60AN750IN

 

 
Back to Top

 


 
.