MPGP10R033. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGP10R033

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 142 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1692 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MPGP10R033

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGP10R033 даташит

 ..1. Size:7976K  cn marching-power
 mpgp10r033.pdf pdf_icon

MPGP10R033

MPGP10R033 FEATURES BV DSS=100V, I D =160A RDS(on) @ 3.3m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested TO-220 RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking

Другие IGBT... AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, MPGJ80R040, MPGP06R030H, IRFB31N20D, MPGW20R170, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160, MPSH60M160, MPSC60M160, MPSW60M160