MPGP10R033 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MPGP10R033
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 142 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1692 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MPGP10R033
MPGP10R033 Datasheet (PDF)
mpgp10r033.pdf

MPGP10R033FEATURESBVDSS=100V, ID =160ARDS(on) @ :3.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking
Другие MOSFET... AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , IRFZ46N , MPGW20R170 , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 , MPSW60M160 .
History: RJK4532DPH-E0 | FQB9N50CTM | HFS5N80 | NCE40P06J | CEUF640 | FQI5P10TU
History: RJK4532DPH-E0 | FQB9N50CTM | HFS5N80 | NCE40P06J | CEUF640 | FQI5P10TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304