Справочник MOSFET. MPGP10R033

 

MPGP10R033 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGP10R033
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 142 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1692 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGP10R033 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7976K  cn marching-power
 mpgp10r033.pdf pdf_icon

MPGP10R033

MPGP10R033FEATURESBVDSS=100V, ID =160ARDS(on) @ :3.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche testedTO-220 RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package Marking

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: JCS2N60C | 2SK2924 | EMB17C03G | BLP08N10G-D | VN0335N1 | ME4410AD | 4N90G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.