FQP22N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP22N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de FQP22N30 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FQP22N30 datasheet
fqp22n30.pdf
May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 300V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40 pF) This advanced technology has been esp
fqp22p10.pdf
TM QFET FQP22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -22A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF) This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 , FQPF13N50C , FQP19N20C , FQPF12N60C , FQP20N06 , FQP20N06L , IRF530 , FQP24N08 , FQP27N25 , FQP27P06 , FQP2N60C , FQP12N60C , FQP2N80 , FQP8N60C , FQP2N90 .
History: TSM6N50CP | F5043-S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m