FQP22N30 - описание и поиск аналогов

 

FQP22N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP22N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP22N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP22N30 даташит

 ..1. Size:757K  fairchild semi
 fqp22n30.pdf pdf_icon

FQP22N30

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 300V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40 pF) This advanced technology has been esp

 ..2. Size:1466K  onsemi
 fqp22n30.pdf pdf_icon

FQP22N30

 9.1. Size:646K  fairchild semi
 fqp22p10.pdf pdf_icon

FQP22N30

TM QFET FQP22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -22A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQP17P06 , FQP17P10 , FQP19N20 , FQPF13N50C , FQP19N20C , FQPF12N60C , FQP20N06 , FQP20N06L , IRF530 , FQP24N08 , FQP27N25 , FQP27P06 , FQP2N60C , FQP12N60C , FQP2N80 , FQP8N60C , FQP2N90 .

History: AO7408 | UPA2450B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.