MPSU70M1K1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSU70M1K1B
   Código: MP70M1K1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPSU70M1K1B

MPSU70M1K1B Datasheet (PDF)

..1. Size:1319K cn marching-power
mpsu70m1k1b.pdf

MPSU70M1K 1B700V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID=4.5 ARDS(on) @ :1.1 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeTO-251Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)

5.1. Size:1635K cn marching-power
mpsu70m1k5.pdf

MPSU70M1K5Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFETJunction Power MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID=3 ARDS(on) @ :1.5 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) 100% Avalanche Tested RoHS compliantTO-251Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking a

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: