MPSU70M1K1B Todos los transistores

 

MPSU70M1K1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPSU70M1K1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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MPSU70M1K1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  cn marching-power
 mpsu70m1k1b.pdf pdf_icon

MPSU70M1K1B

MPSU70M1K 1B700V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID=4.5 ARDS(on) @ :1.1 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeTO-251Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)

 5.1. Size:1635K  cn marching-power
 mpsu70m1k5.pdf pdf_icon

MPSU70M1K1B

MPSU70M1K5Power MOSFET700V Super-Junction Power MOSFETJunction Power MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID=3 ARDS(on) @ :1.5 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) 100% Avalanche Tested RoHS compliantTO-251Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking a

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History: SPB04N60S5 | PJW1NA80

 

 
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