MPSU70M1K1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSU70M1K1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MPSU70M1K1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPSU70M1K1B даташит

 ..1. Size:1319K  cn marching-power
 mpsu70m1k1b.pdf pdf_icon

MPSU70M1K1B

 5.1. Size:1635K  cn marching-power
 mpsu70m1k5.pdf pdf_icon

MPSU70M1K1B

MPSU70M1K5 Power MOSFET 700V Super-Junction Power MOSFET Junction Power MOSFET Features BV DSS=700 V, I D=3 A RDS(on) @ 1.5 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) 100% Avalanche Tested RoHS compliant TO-251 Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking a

Другие IGBT... MPSA80M380B, MPSA80M670B, MPSA80M850B, MPSC60M160CFD, MPSC70M360B, MPSD70M600B, MPSD70M710B, MPSD70M910B, BS170, MPSU70M1K5, MPSW60M043CFD, MPSW60M086CFD, MPSW60M150B, MPSW65M045B, MPSW65M046CFD, MPSW65M065, MPSW65M092CFD