MPTD50N60N Todos los transistores

 

MPTD50N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPTD50N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MPTD50N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

MPTD50N60N

MPTD50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche testedTO-252 RoHS compliantAPPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTD50N60N TO-252 MPTD50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Otros transistores... MPSW60M043CFD , MPSW60M086CFD , MPSW60M150B , MPSW65M045B , MPSW65M046CFD , MPSW65M065 , MPSW65M092CFD , MPSY60M190B , 75N75 , MPTO2N10 , MPTO3N60 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B .

History: GKI07113 | KHB1D2N80D | LP3401LT1G

 

 
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