Справочник MOSFET. MPTD50N60N

 

MPTD50N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTD50N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MPTD50N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTD50N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

MPTD50N60N

MPTD50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche testedTO-252 RoHS compliantAPPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTD50N60N TO-252 MPTD50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие MOSFET... MPSW60M043CFD , MPSW60M086CFD , MPSW60M150B , MPSW65M045B , MPSW65M046CFD , MPSW65M065 , MPSW65M092CFD , MPSY60M190B , 75N75 , MPTO2N10 , MPTO3N60 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B .

History: STW160N75F3 | NCE65N260F | QM3002V | APT17M120JCU2 | BSD214SN | DH020N03P | IPD127N06LG

 

 
Back to Top

 


 
.