Справочник MOSFET. MPTD50N60N

 

MPTD50N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTD50N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTD50N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1532K  cn marching-power
 mptd50n60n.pdf pdf_icon

MPTD50N60N

MPTD50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche testedTO-252 RoHS compliantAPPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTD50N60N TO-252 MPTD50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 12P10G-TQ2-R | IRC8405 | SWD3205B | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.