MPTO2N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPTO2N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: SOT23

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MPTO2N10 datasheet

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MPTO2N10

MPTO2N10 Features BV DSS=100 V, I D =2A D @ RDS(on) m (Max) V 240 GS=10V Enhancement mode S Fully characterized avalanche voltage and current Ultra low Rdson SOT23-3L G Application Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible power supply Device Marking and Package Information Ordering code

Otros transistores... MPSW60M086CFD, MPSW60M150B, MPSW65M045B, MPSW65M046CFD, MPSW65M065, MPSW65M092CFD, MPSY60M190B, MPTD50N60N, 20N50, MPTO3N60, MPTP50N60N, MPVA10N65F, MPVA12N65F, MPVA13N50F, MPVA20N50B, MPVP20N50B, MPVW20N50B