Справочник MOSFET. MPTO2N10

 

MPTO2N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTO2N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MPTO2N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTO2N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2210K  cn marching-power
 mpto2n10.pdf pdf_icon

MPTO2N10

MPTO2N10FeaturesBVDSS=100 V, ID =2AD @ RDS(on) m (Max) V:240 GS=10VEnhancement modeS Fully characterized avalanche voltage and current Ultra low RdsonSOT23-3LGApplication Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible power supplyDevice Marking and Package InformationOrdering code

Другие MOSFET... MPSW60M086CFD , MPSW60M150B , MPSW65M045B , MPSW65M046CFD , MPSW65M065 , MPSW65M092CFD , MPSY60M190B , MPTD50N60N , 2N60 , MPTO3N60 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B , MPVW20N50B .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | SQ2348ES | IPD042P03L3G | FQP4N25 | AP9938AGEY

 

 
Back to Top

 


 
.