Справочник MOSFET. MPTO2N10

 

MPTO2N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTO2N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTO2N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2210K  cn marching-power
 mpto2n10.pdf pdf_icon

MPTO2N10

MPTO2N10FeaturesBVDSS=100 V, ID =2AD @ RDS(on) m (Max) V:240 GS=10VEnhancement modeS Fully characterized avalanche voltage and current Ultra low RdsonSOT23-3LGApplication Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible power supplyDevice Marking and Package InformationOrdering code

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.