MPTO3N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPTO3N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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MPTO3N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:2848K cn marching-power
mpto3n60.pdf

MPTO3N60FeaturesBVDSS=60 V, I D =3AD @ RDS(on) m (Max) V :80 GS=10V @ RDS(on) m (Max) V:100 GS=4.5VSN-Channel5V Logic Level ControlSOT23-3LGEnhancement modeLow on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTO3N60 SOT23-3L MPTO3N60Maximum ratings,

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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