Справочник MOSFET. MPTO3N60

 

MPTO3N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTO3N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MPTO3N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTO3N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2848K  cn marching-power
 mpto3n60.pdf pdf_icon

MPTO3N60

MPTO3N60FeaturesBVDSS=60 V, I D =3AD @ RDS(on) m (Max) V :80 GS=10V @ RDS(on) m (Max) V:100 GS=4.5VSN-Channel5V Logic Level ControlSOT23-3LGEnhancement modeLow on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTO3N60 SOT23-3L MPTO3N60Maximum ratings,

Другие MOSFET... MPSW60M150B , MPSW65M045B , MPSW65M046CFD , MPSW65M065 , MPSW65M092CFD , MPSY60M190B , MPTD50N60N , MPTO2N10 , CS150N03A8 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B , MPVW20N50B , MPVT20N50B .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | TSM40N03PQ56 | AS2305

 

 
Back to Top

 


 
.