Справочник MOSFET. MPTO3N60

 

MPTO3N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTO3N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTO3N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2848K  cn marching-power
 mpto3n60.pdf pdf_icon

MPTO3N60

MPTO3N60FeaturesBVDSS=60 V, I D =3AD @ RDS(on) m (Max) V :80 GS=10V @ RDS(on) m (Max) V:100 GS=4.5VSN-Channel5V Logic Level ControlSOT23-3LGEnhancement modeLow on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTO3N60 SOT23-3L MPTO3N60Maximum ratings,

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFH5104 | IRF4104SPBF | 2SK3572-Z | CJ3134KW | UPA2810T1L | QM2413K | BLP038N15-T

 

 
Back to Top

 


 
.