MPTO3N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPTO3N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для MPTO3N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTO3N60 даташит

 ..1. Size:2848K  cn marching-power
 mpto3n60.pdf pdf_icon

MPTO3N60

MPTO3N60 Features BV DSS=60 V, I D =3A D @ RDS(on) m (Max) V 80 GS=10V @ RDS(on) m (Max) V 100 GS=4.5V S N-Channel 5V Logic Level Control SOT23-3L G Enhancement mode Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPTO3N60 SOT23-3L MPTO3N60 Maximum ratings,

Другие IGBT... MPSW60M150B, MPSW65M045B, MPSW65M046CFD, MPSW65M065, MPSW65M092CFD, MPSY60M190B, MPTD50N60N, MPTO2N10, IRF520, MPTP50N60N, MPVA10N65F, MPVA12N65F, MPVA13N50F, MPVA20N50B, MPVP20N50B, MPVW20N50B, MPVT20N50B