MPVW20N50B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPVW20N50B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-247

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MPVW20N50B datasheet

 ..1. Size:1207K  cn marching-power
 mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf pdf_icon

MPVW20N50B

MPVX20N50B Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 0.3 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G S TO-220F TO-220 TO-247 TO-3P Ordering Information Type NO. Mar

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