MPVW20N50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPVW20N50B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPVW20N50B
MPVW20N50B Datasheet (PDF)
mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf
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MPVX20N50B SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 0.3(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGSTO-220F TO-220 TO-247TO-3POrdering InformationType NO. Mar
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