MPVW20N50B Todos los transistores

 

MPVW20N50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPVW20N50B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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MPVW20N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  cn marching-power
 mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf pdf_icon

MPVW20N50B

MPVX20N50B SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 0.3(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGSTO-220F TO-220 TO-247TO-3POrdering InformationType NO. Mar

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History: DH033N04P | DHS022N06 | IXTA76N25T | NCE8290 | SQ1912AEEH | IRFI9640GPBF | SFF75N08M

 

 
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