MPVW20N50B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPVW20N50B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MPVW20N50B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVW20N50B даташит

 ..1. Size:1207K  cn marching-power
 mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf pdf_icon

MPVW20N50B

MPVX20N50B Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 0.3 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G S TO-220F TO-220 TO-247 TO-3P Ordering Information Type NO. Mar

Другие IGBT... MPTO2N10, MPTO3N60, MPTP50N60N, MPVA10N65F, MPVA12N65F, MPVA13N50F, MPVA20N50B, MPVP20N50B, 75N75, MPVT20N50B, MPVA20N50F, MPVA20N65F, MPVP20N65F, MPVA2N65BK, MPVU2N65BK, MPVD2N65BK, MPVA4N65F