MPVD5N50CCFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPVD5N50CCFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MPVD5N50CCFD datasheet

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MPVD5N50CCFD

MPVX5N50CCFD Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS BVDSS 500V, ID=5A Power switch circuit of adaptor and charger RDS(on) 1.7 (Max) @VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Excellent stability and uniformity D G TO-252 TO-251 S Ordering Information Type NO. Marking Package Code MPVU5N50CCFD MPVU5N50CCFD TO-251 MPVD5N50CCFD MPVD5N50CCFD TO-252 Abso

Otros transistores... MPVA4N65F, MPVU4N65F, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MMIS60R580P, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG