MPVD5N50CCFD Todos los transistores

 

MPVD5N50CCFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPVD5N50CCFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MPVD5N50CCFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cn marching-power
 mpvu5n50ccfd mpvd5n50ccfd.pdf pdf_icon

MPVD5N50CCFD

MPVX5N50CCFD SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSBVDSS: 500V, ID=5A Power switch circuit of adaptor and chargerRDS(on) : 1.7(Max) @VGS=10VVery Low FOM (RDS(on) *Qg)Excellent stability and uniformityDGTO-252TO-251 SOrdering InformationType NO. Marking Package CodeMPVU5N50CCFD MPVU5N50CCFD TO-251MPVD5N50CCFD MPVD5N50CCFD TO-252Abso

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History: AM20P02-60D | IRFI064 | SM2333PSA | IXFK120N20P | STS4DNF60L | AFN3030

 

 
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