MPVD5N50CCFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPVD5N50CCFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MPVD5N50CCFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD5N50CCFD даташит

 ..1. Size:601K  cn marching-power
 mpvu5n50ccfd mpvd5n50ccfd.pdf pdf_icon

MPVD5N50CCFD

MPVX5N50CCFD Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS BVDSS 500V, ID=5A Power switch circuit of adaptor and charger RDS(on) 1.7 (Max) @VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Excellent stability and uniformity D G TO-252 TO-251 S Ordering Information Type NO. Marking Package Code MPVU5N50CCFD MPVU5N50CCFD TO-251 MPVD5N50CCFD MPVD5N50CCFD TO-252 Abso

Другие IGBT... MPVA4N65F, MPVU4N65F, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MMIS60R580P, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG