Справочник MOSFET. MPVD5N50CCFD

 

MPVD5N50CCFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPVD5N50CCFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MPVD5N50CCFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD5N50CCFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cn marching-power
 mpvu5n50ccfd mpvd5n50ccfd.pdf pdf_icon

MPVD5N50CCFD

MPVX5N50CCFD SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSBVDSS: 500V, ID=5A Power switch circuit of adaptor and chargerRDS(on) : 1.7(Max) @VGS=10VVery Low FOM (RDS(on) *Qg)Excellent stability and uniformityDGTO-252TO-251 SOrdering InformationType NO. Marking Package CodeMPVU5N50CCFD MPVU5N50CCFD TO-251MPVD5N50CCFD MPVD5N50CCFD TO-252Abso

Другие MOSFET... MPVA4N65F , MPVU4N65F , MPVD4N65F , MPVA4N70F , MPVU4N70F , MPVD4N70F , MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , 2N7002 , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG .

History: AP05N50H-HF

 

 
Back to Top

 


 
.