FDM30R650AN4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM30R650AN4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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FDM30R650AN4G datasheet

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FDM30R650AN4G

FDM30R650AN4G Silicon Carbide Power MOSFET 650V, 95A, 28m General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery Applicati

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