Справочник MOSFET. FDM30R650AN4G

 

FDM30R650AN4G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDM30R650AN4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 163 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4

 Аналог (замена) для FDM30R650AN4G

 

 

FDM30R650AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3688K  first semi
 fdm30r650an4g.pdf

FDM30R650AN4G FDM30R650AN4G

FDM30R650AN4GSilicon Carbide Power MOSFET 650V, 95A, 28mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverserecoveryApplicati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHM3172JGP

 

 
Back to Top