FDM30R650AN4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM30R650AN4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4

Аналог (замена) для FDM30R650AN4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM30R650AN4G даташит

 ..1. Size:3688K  first semi
 fdm30r650an4g.pdf pdf_icon

FDM30R650AN4G

FDM30R650AN4G Silicon Carbide Power MOSFET 650V, 95A, 28m General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery Applicati

Другие IGBT... MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, AO4407A, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, FIR10N10LG, FIR10N20LG