FDM40R120AN4G Todos los transistores

 

FDM40R120AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM40R120AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4
 

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FDM40R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4687K  first semi
 fdm40r120an4g.pdf pdf_icon

FDM40R120AN4G

FDM40R120AN4GSilicon Carbide Power MOSFET Product Summary V = 1200 VDSID@25oC = 64AR = 36mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse re

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History: 2SK2208 | LSC80R350GT | RSR020P03 | TPCJ2101 | DMT3009LFVW-7 | IRF3808LPBF | 2SK2064

 

 
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