FDM40R120AN4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM40R120AN4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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FDM40R120AN4G datasheet

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FDM40R120AN4G

FDM40R120AN4G Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V = 1200 V DS I D@25oC = 64A R = 36m DS(ON) TO-247-4 Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse re

Otros transistores... MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, 60N06, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, FIR10N10LG, FIR10N20LG, FIR10N50FG