FDM40R120AN4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM40R120AN4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4

Аналог (замена) для FDM40R120AN4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM40R120AN4G даташит

 ..1. Size:4687K  first semi
 fdm40r120an4g.pdf pdf_icon

FDM40R120AN4G

FDM40R120AN4G Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V = 1200 V DS I D@25oC = 64A R = 36m DS(ON) TO-247-4 Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse re

Другие IGBT... MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, 60N06, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, FIR10N10LG, FIR10N20LG, FIR10N50FG