FDM40R120AN4G - аналоги и даташиты транзистора

 

FDM40R120AN4G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDM40R120AN4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для FDM40R120AN4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM40R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4687K  first semi
 fdm40r120an4g.pdf pdf_icon

FDM40R120AN4G

FDM40R120AN4GSilicon Carbide Power MOSFET Product Summary V = 1200 VDSID@25oC = 64AR = 36mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse re

Другие MOSFET... MPVA4N70F , MPVU4N70F , MPVD4N70F , MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , 60N06 , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG .

 

 
Back to Top

 


 
.