FDM50R120AN4G Todos los transistores

 

FDM50R120AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM50R120AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 344 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4
 

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FDM50R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3775K  first semi
 fdm50r120an4g.pdf pdf_icon

FDM50R120AN4G

FDM50R120AN4GSilicon Carbide MOSFET 1200V, 50mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diode Kelvin conne

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History: PDN4911S | FHD4N65E | P7006BL | PB5A2BX | NTMFS5C456NL

 

 
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