FDM50R120AN4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM50R120AN4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 344 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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FDM50R120AN4G datasheet

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FDM50R120AN4G

FDM50R120AN4G Silicon Carbide MOSFET 1200V, 50m General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diode Kelvin conne

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