FDM50R120AN4G - аналоги и даташиты транзистора

 

FDM50R120AN4G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDM50R120AN4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 344 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для FDM50R120AN4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM50R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3775K  first semi
 fdm50r120an4g.pdf pdf_icon

FDM50R120AN4G

FDM50R120AN4GSilicon Carbide MOSFET 1200V, 50mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diode Kelvin conne

Другие MOSFET... MPVU4N70F , MPVD4N70F , MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , 5N50 , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG .

History: 1N65

 

 
Back to Top

 


 
.