FDM60R65AN4G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDM60R65AN4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM60R65AN4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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FDM60R65AN4G datasheet

..1. Size:4926K first semi
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FDM60R65AN4G Product Summary V = 650 V DS I D@25oC = 51A R = 59m DS(ON) TO-247-4 Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

9.1. Size:322K fairchild semi
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December 2004 FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switching Semiconductor s advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5V been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching

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