FDM60R65AN4G Todos los transistores

 

FDM60R65AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM60R65AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDM60R65AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf pdf_icon

FDM60R65AN4G

FDM60R65AN4GProduct Summary V = 650 VDSID@25oC = 51A R = 59mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

 9.1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf pdf_icon

FDM60R65AN4G

December 2004FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switchingSemiconductors advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5Vbeen especially tailored to minimize the on-state resistanceand yet maintain low gate charge for superior switching

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History: RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | AUIRF2804

 

 
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