FDM60R65AN4G - аналоги и даташиты транзистора

 

FDM60R65AN4G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDM60R65AN4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для FDM60R65AN4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM60R65AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf pdf_icon

FDM60R65AN4G

FDM60R65AN4GProduct Summary V = 650 VDSID@25oC = 51A R = 59mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

 9.1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf pdf_icon

FDM60R65AN4G

December 2004FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switchingSemiconductors advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5Vbeen especially tailored to minimize the on-state resistanceand yet maintain low gate charge for superior switching

Другие MOSFET... MPVD4N70F , MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , AO4468 , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG , FIR10N80FG .

History: AP9960AGM-HF | ST2305 | IRHMS57160 | NP40N055MHE | NP40N055EHE | UTT25P10L-TQ2-R | VBZE50P06

 

 
Back to Top

 


 
.