FDM80R120AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDM80R120AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6(typ) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDM80R120AN4G

FDM80R120AN4G Datasheet (PDF)

..1. Size:3776K first semi
fdm80r120an4g.pdf

FDM80R120AN4GSilicon Carbide MOSFET 1200V, 80mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diodeTO-247-4Pin de

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Liste

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