FDM80R120AN4G Todos los transistores

 

FDM80R120AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM80R120AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4
 

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FDM80R120AN4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3776K  first semi
 fdm80r120an4g.pdf pdf_icon

FDM80R120AN4G

FDM80R120AN4GSilicon Carbide MOSFET 1200V, 80mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications herehigh efficiency and high reliability are required.Features High voltage, low on resistance High speed, low parasitic capacitance High junction temperature Fast recovery diodeTO-247-4Pin de

Otros transistores... MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , BS170 , FDZ65T300D8G , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG , FIR10N80FG , FIR110N10PG .

History: AOD600A60 | TPB80R300C | NTF2955PT1G | SM4805DSK | SUD50P08-26 | AP9576GM-HF | 2SJ177

 

 
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